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RB Device Name Type BV(V) VGS & VF(V) Vt MAX(V) Ron_10V_Max(Typ)mΩ Ron_4.5 V_ Max(Typ)mΩ Ron_2.5 V_ Max(Typ)mΩ Ron_1.8 V_ Max(Typ)mΩ Ciss (pF) Coss (pF) Crss (pF) ESD Cell Package Type 产品分类
RB16N65LBA NMOS 650 ±30 4 450 -- -- -- 2250 250 18 -- TO-220F HV MOS
RB12N65LHA NMOS 650 ±30 4 580 -- -- -- 2300 170 7 -- TO-220F HV MOS
RB10N65LBI NMOS 650 ±30 4 900 -- -- -- 2100 134 10 -- TO-263 HV MOS
RB10N65LBY NMOS 650 ±30 4 900 -- -- -- 2100 134 10 -- TO-262 HV MOS
RB10N65LBA NMOS 650 ±30 4 900 -- -- -- 2100 134 10 -- TO-220F HV MOS
RB10N65LBV NMOS 650 ±30 4 900 -- -- -- 2100 134 10 -- TO-220 HV MOS
RB7N65LBI NMOS 650 ±30 3 1200 -- -- -- 870 97 9.6 -- TO-263 HV MOS
RB7N65LBY NMOS 650 ±30 3 1200 -- -- -- 870 97 9.6 -- TO-262 HV MOS
RB7N65LBT NMOS 650 ±30 3 1200 -- -- -- 870 97 9.6 -- TO-252 HV MOS
RB7N65LBN NMOS 650 ±30 3 1200 -- -- -- 870 97 9.6 -- TO-251 HV MOS
RB7N65LBA NMOS 650 ±30 3 1200 -- -- -- 870 97 9.6 -- TO-220F HV MOS
RB7N65LBV NMOS 650 ±30 3 1200 -- -- -- 870 97 9.6 -- TO-220 HV MOS
RB4N65LHI NMOS 650 ±30 3 2000 -- -- -- 520 70 8 -- TO-263 HV MOS
RB4N65LHY NMOS 650 ±30 3 2000 -- -- -- 520 70 8 -- TO-262 HV MOS
RB4N65LHT NMOS 650 ±30 3 2000 -- -- -- 520 70 8 -- TO-252 HV MOS
RB4N65LHN NMOS 650 ±30 3 2000 -- -- -- 520 70 8 -- TO-251 HV MOS
RB4N65LHA NMOS 650 ±30 3 2000 -- -- -- 520 70 8 -- TO-220F HV MOS
RB4N65LHV NMOS 650 ±30 3 2000 -- -- -- 520 70 8 -- TO-220 HV MOS
RB2N65LHI NMOS 650 ±30 3 4000 -- -- -- 300 30 6 -- TO-263 HV MOS
RB2N65LHY NMOS 650 ±30 3 4000 -- -- -- 300 30 6 -- TO-262 HV MOS

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